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GermanyFQP19N20CTSTU
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQP19N20CTSTU
Explicación
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 200 V 19A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
FQP19N20CTSTU Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
139W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
FQP1
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQP19N20CTSTU
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
EDA Models
1(FQP19N20CTSTU Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FQP19N20C
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 6
Precio unitario : $1.61000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 6
Precio unitario : $1.61000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Modelo de producto : IRF200B211
Fabricante : Rochester Electronics, LLC
Cantidad disponible : 7,015
Precio unitario : $1.06000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 7,015
Precio unitario : $1.06000
Tipo de reemplazo : Similar