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GermanyFDZ3N513ZT
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FDZ3N513ZT
Explicación
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Descripción detallada
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.96x0.96)
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
FDZ3N513ZT Models
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
462mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+5.5V, -0.3V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
85 pF @ 15 V
FET Feature
Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
4-WLCSP (0.96x0.96)
Package / Case
4-UFBGA, WLCSP
Base Product Number
FDZ3N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
FDZ3N513ZTCT
FDZ3N513ZTDKR
FDZ3N513ZTTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FDZ3N513ZT
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FDZ3N513ZT)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(3Q Mult Dev EOL 9/Nov/2017)
PCN Design/Specification
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN Packaging
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML Datasheet
1(FDZ3N513ZT)
EDA Models
1(FDZ3N513ZT Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SI8808DB-T2-E1
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 8,937
Precio unitario : $0.43000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 8,937
Precio unitario : $0.43000
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