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GermanyIRLH5030TR2PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRLH5030TR2PBF
Explicación
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Descripción detallada
N-Channel 100 V 13A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
400
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5185 pF @ 50 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PQFN (5x6) Single Die
Package / Case
8-PowerVDFN
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRLH5030TR2PBFTR
SP001567260
IRLH5030TR2PBFCT
IRLH5030TR2PBFDKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLH5030TR2PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRLH5030PBF)
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1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRLH5030PBF)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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