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GermanySCTH50N120-7
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SCTH50N120-7
Explicación
SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
Descripción detallada
N-Channel 1200 V 65A 270W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Fabricación
STMicroelectronics
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
STMicroelectronics
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
65A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
270W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
H2PAK-7
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Base Product Number
SCTH50
Clasificaciones medioambientales y de exportación
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SCTH50N120-7-ND
497-SCTH50N120-7DKR
497-SCTH50N120-7CT
497-SCTH50N120-7TR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics SCTH50N120-7
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SCTH50N120-7)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SCTH60N120G2-7
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $19.22363
Tipo de reemplazo : MFR Recommended
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $19.22363
Tipo de reemplazo : MFR Recommended