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GermanyAPTM50DHM65T3G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
APTM50DHM65T3G
Explicación
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Descripción detallada
Mosfet Array 500V 51A 390W Chassis Mount SP3
Fabricación
Microsemi Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microsemi Corporation
Series
POWER MOS 8™
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
51A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
78mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
340nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10800pF @ 25V
Power - Max
390W
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
SP3
Supplier Device Package
SP3
Base Product Number
APTM50
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
APTM50DHM65T3G-ND
150-APTM50DHM65T3G
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Microsemi Corporation APTM50DHM65T3G
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices 01/Nov/2017)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-