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GermanyMT41K512M8V00HWC1-N001
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MT41K512M8V00HWC1-N001
Explicación
IC DRAM 4GBIT PARALLEL
Descripción detallada
SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gbit Parallel
Fabricación
Micron Technology Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Micron Technology Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Volatile
Memory Format
DRAM
Technology
SDRAM - DDR3L
Memory Size
4Gbit
Memory Organization
512M x 8
Memory Interface
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page
-
Voltage - Supply
1.283V ~ 1.45V
Operating Temperature
0°C ~ 95°C (TC)
Mounting Type
-
Package / Case
-
Supplier Device Package
-
Base Product Number
MT41K512M8
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0036
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Micron Technology Inc. MT41K512M8V00HWC1-N001
Documentos y medios de comunicación
PCN Packaging
1(Standard Pkg Label Chg 20/Feb/2019)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-