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GermanyFQP2N60
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQP2N60
Explicación
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 64W (Tc) Through Hole TO-220-3
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
307
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
64W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
FAIFSCFQP2N60
2156-FQP2N60-FS
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQP2N60
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FQP2N60)
Cantidad y precio
Cantidad: 307
Precio unitario: $0.98
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 307
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 307
Alternativas
-