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GermanyIPP65R310CFDAAKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPP65R310CFDAAKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 650 V 11.4A (Tc) 104.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1110 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
104.2W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP65R310
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP65R310CFDAAKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPx65R310CFDA)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPx65R310CFDA)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V CFDA Spice Model)
Cantidad y precio
Cantidad: 500
Precio unitario: $1.629
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 500
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Alternativas
Modelo de producto : FCP11N60
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 739
Precio unitario : $2.93000
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Cantidad disponible : 1,292
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Cantidad disponible : 87
Precio unitario : $3.83000
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