Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IXTH13N110
Explicación
MOSFET N-CH 1100V 13A TO247
Descripción detallada
N-Channel 1100 V 13A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
30
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
IXYS
Series
MegaMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
920mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5650 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
360W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IXTH13

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTH13N110

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IXTH13N110)
PCN Obsolescence/ EOL
1(IXTH13N110 28/Feb/2018)
HTML Datasheet
1(IXTH13N110)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IXFH16N120P
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 1,008
Precio unitario : $20.46000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STW12N120K5
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 8
Precio unitario : $10.25000
Tipo de reemplazo : Similar