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GermanyIPP12CN10N G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPP12CN10N G
Explicación
MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.9mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4320 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP12C
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPP12CN10N G-ND
IPP12CN10NGX
IPP12CN10NG
SP000096468
IPP12CN10NGXK
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP12CN10N G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IP(B,D,I,P)12CN10N G)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IP(B,D,I,P)12CN10N G)
Cantidad y precio
-
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