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GermanyPDTC114EQA147
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PDTC114EQA147
Explicación
TRANS PREBIAS
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 MHz 280 mW Surface Mount DFN1010D-3
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
9,489
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
PDTC114EQA
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
Frequency - Transition
230 MHz
Power - Max
280 mW
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
DFN1010D-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
NEXNXPPDTC114EQA147
2156-PDTC114EQA147
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/NXP USA Inc. PDTC114EQA147
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PDTC143,114,124,144EQA)
HTML Datasheet
1(PDTC143,114,124,144EQA)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-