Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRFHM8235TRPBF
Explicación
MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
Descripción detallada
N-Channel 25 V 16A (Ta) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1040 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3W (Ta), 30W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Package / Case
8-PowerTDFN

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

IRFHM8235TRPBFCT
IRFHM8235TRPBFTR
SP001556558
IRFHM8235TRPBFDKR
2156-IRFHM8235TRPBFTR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFHM8235TRPBF

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IRFHM8235(TR)PBF)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(IRFHM8235(TR)PBF)
Simulation Models
1(IRFHM8235PBF Spice Model)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : BSZ060NE2LSATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 59,278
Precio unitario : $0.80000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STL11N3LLH6
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 2,750
Precio unitario : $1.40000
Tipo de reemplazo : Similar