English
China
Rusia
Italy
GermanySI1489EDH-T1-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SI1489EDH-T1-GE3
Explicación
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
Descripción detallada
P-Channel 8 V 2A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±5V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SC-70-6
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Base Product Number
SI1489
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SI1489EDH-T1-GE3TR
SI1489EDH-T1-GE3DKR
SI1489EDH-T1-GE3CT
SI1489EDH-T1-GE3-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI1489EDH-T1-GE3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SI1489EDH-T1-GE3)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 14/Mar/2018)
HTML Datasheet
1(SI1489EDH-T1-GE3)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : NTJS3151PT1G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 10,336
Precio unitario : $0.50000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 10,336
Precio unitario : $0.50000
Tipo de reemplazo : Similar