Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
ZXMN10A11K
Explicación
MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 100 V 2.4A (Ta) 2.11W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Fabricación
Diodes Incorporated
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Diodes Incorporated
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
274 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.11W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252-3
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

1034-ZXMN10A11KCT
ZXMN10A11KCT
ZXMN10A11KDKR
ZXMN10A11KTR
1034-ZXMN10A11KDKR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Diodes Incorporated ZXMN10A11K

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(ZXMN10A11K)
Environmental Information
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
HTML Datasheet
1(ZXMN10A11K)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : ZXMN10A11KTC
Fabricante : Diodes Incorporated
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.28339
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Modelo de producto : BUK7275-100A,118
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 79,070
Precio unitario : $1.15000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : FDD3682
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 17,300
Precio unitario : $1.11000
Tipo de reemplazo : Similar