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GermanyIXFN230N20T
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXFN230N20T
Explicación
MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
Descripción detallada
N-Channel 200 V 220A (Tc) 1090W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
45 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Trench
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
220A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
378 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
28000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1090W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
IXFN230
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFN230N20T
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IXFN230N20T)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(GigaMOS™ Power MOSFETs)
HTML Datasheet
1(IXFN230N20T)
Cantidad y precio
Cantidad: 100
Precio unitario: $28.6322
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 10
Precio unitario: $32.62
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $36.61
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
-