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GermanyIPS65R1K5CEAKMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPS65R1K5CEAKMA1
Explicación
MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
Descripción detallada
N-Channel 650 V 3.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-251
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
225 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
28W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251
Package / Case
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Base Product Number
IPS65R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001276050
ROCINFIPS65R1K5CEAKMA1
2156-IPS65R1K5CEAKMA1-IT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPS65R1K5CEAKMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPS65R1K5CE)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPS65R1K5CE)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPS70R1K4P7SAKMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.60000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.60000
Tipo de reemplazo : Direct