Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
SI4472DY-T1-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8SO
Descripción detallada
N-Channel 150 V 7.7A (Tc) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1735 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number
SI4472

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

SI4472DY-T1-GE3TR
SI4472DY-T1-GE3DKR
SI4472DY-T1-GE3CT
SI4472DYT1GE3

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI4472DY-T1-GE3

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(SI4472DY)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 14/Mar/2018)
HTML Datasheet
1(SI4472DY)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : SI4488DY-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 8,661
Precio unitario : $2.16000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : FDS2572
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 19,256
Precio unitario : $1.64000
Tipo de reemplazo : Similar