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GermanyIPD350N06LGBUMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPD350N06LGBUMA1
Explicación
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 60 V 29A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 28µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD350N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPD350N06LGXT-ND
IPD350N06LGXT
SP000204197
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD350N06LGBUMA1
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPD350N06LGBTMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 4,620
Precio unitario : $0.88000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 4,620
Precio unitario : $0.88000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent