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GermanySSM3K35MFV,L3F
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SSM3K35MFV,L3F
Explicación
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Descripción detallada
N-Channel 20 V 180mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
SSM3K35MFV,L3F Models
Embalaje estándar
8,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
180mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9.5 pF @ 3 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150mW (Ta)
Operating Temperature
150°C
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
VESM
Package / Case
SOT-723
Base Product Number
SSM3K35
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV,L3F
Documentos y medios de comunicación
Featured Product
1(Server Solutions)
EDA Models
1(SSM3K35MFV,L3F Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-