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GermanyEPC2102ENGRT
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
EPC2102ENGRT
Explicación
GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Descripción detallada
Mosfet Array 60V 23A (Tj) Surface Mount Die
Fabricación
EPC
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
EPC
Series
eGaN®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 30V
Power - Max
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
EPC210
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Otros nombres
917-EPC2102ENGRDKR
917-EPC2102ENGRTR
917-EPC2102ENGRCT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/EPC EPC2102ENGRT
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(EPC2102)
Product Training Modules
1(eGaN Integrated GaN Power)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(EPC2102)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-