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GermanySTW54NM65ND
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
STW54NM65ND
Explicación
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-3
Descripción detallada
N-Channel 650 V 49A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3
Fabricación
STMicroelectronics
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
STW54NM65ND Models
Embalaje estándar
30
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
STMicroelectronics
Series
FDmesh™ II
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
188 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6200 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
350W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
STW54
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
497-12370
-497-12370
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STW54NM65ND
Documentos y medios de comunicación
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Cantidad y precio
-
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