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GermanyPMF3800SN,115
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PMF3800SN,115
Explicación
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323-3
Descripción detallada
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 560mW (Tc) Surface Mount SC-70
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
260mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
560mW (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SC-70
Package / Case
SC-70, SOT-323
Base Product Number
PMF38
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
568-11275-2
568-11275-1
PMF3800SN T/R
934058527115
NEXNXPPMF3800SN,115
PMF3800SN,115-ND
954-PMF3800SN115
PMF3800SN T/R-ND
568-11275-6
2156-PMF3800SN115
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. PMF3800SN,115
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(MCU Dip Supply Situation 12/May/2015)
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SN7002WH6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 117,303
Precio unitario : $0.36000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 117,303
Precio unitario : $0.36000
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