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GermanyMJD6039T4
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MJD6039T4
Explicación
TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 1.75 W Surface Mount DPAK
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
500 @ 2A, 4V
Power - Max
1.75 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
-
Supplier Device Package
DPAK
Base Product Number
MJD60
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi MJD6039T4
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(MJD6039)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 06/Oct/2006)
HTML Datasheet
1(MJD6039)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : MJD6039T4G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.94000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.94000
Tipo de reemplazo : Direct
Modelo de producto : 2SD1223(TE16L1,NQ)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 1,345
Precio unitario : $0.88000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 1,345
Precio unitario : $0.88000
Tipo de reemplazo : Similar