Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRFSL38N20DPBF
Explicación
MOSFET N-CH 200V 43A TO262
Descripción detallada
N-Channel 200 V 43A (Tc) Through Hole TO-262
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

IFEINFIRFSL38N20DPBF
SP001557568
2156-IRFSL38N20DPBF

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFSL38N20DPBF

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IRF(B,S,SL)38N20DPbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
HTML Datasheet
1(IRF(B,S,SL)38N20DPbF)
Simulation Models
1(IRFB_S_SL38N20D Spice Model)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IRFSL4127PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 1,919
Precio unitario : $6.00000
Tipo de reemplazo : Similar