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GermanyAUIRLR3705Z
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
AUIRLR3705Z
Explicación
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 55 V 42A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
130W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies AUIRLR3705Z
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(AUIRLR3705Z)
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Cantidad y precio
-
Alternativas
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