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Germany2SD1436K-E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SD1436K-E
Explicación
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 10 A 80 W Through Hole TO-3P
Fabricación
Renesas Electronics Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
87
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 3V
Power - Max
80 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
RENRNS2SD1436K-E
2156-2SD1436K-E
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Renesas Electronics Corporation 2SD1436K-E
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 87
Precio unitario: $3.47
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 87
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 87
Alternativas
-