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Germany2SA1013-O,T6MIBF(J
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SA1013-O,T6MIBF(J
Explicación
TRANS PNP 160V 1A TO92L
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 1 A 50MHz 900 mW Through Hole TO-92L
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 200mA, 5V
Power - Max
900 mW
Frequency - Transition
50MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Supplier Device Package
TO-92L
Base Product Number
2SA1013
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
2SA1013-OT6MIBF(J
2SA1013OT6MIBFJ
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1013-O,T6MIBF(J
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(2SA1013)
HTML Datasheet
1(2SA1013)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : KSA1013YBU
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 2,882
Precio unitario : $0.48000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 2,882
Precio unitario : $0.48000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent