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Germany2SK4093TZ-E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SK4093TZ-E
Explicación
MOSFET N-CH 250V 1A TO92MOD
Descripción detallada
N-Channel 250 V 1A (Ta) 900mW (Ta) Through Hole TO-92MOD
Fabricación
Renesas Electronics Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
2SK4093TZ-E Models
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6Ohm @ 500mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 4 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
900mW (Ta)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-92MOD
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
2156-2SK4093TZ-E
RENRNS2SK4093TZ-E
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation 2SK4093TZ-E
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(2SK4093)
Environmental Information
1(RoHS Compliance)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 15/Dec/2018)
PCN Packaging
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA Models
1(2SK4093TZ-E Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-