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GermanySIGC109T120R3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SIGC109T120R3
Explicación
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Descripción detallada
IGBT Trench Field Stop 1200 V Surface Mount Die
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
28
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
IGBT Type
Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 100A
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
SIGC109
Clasificaciones medioambientales y de exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
INFINFSIGC109T120R3
2156-SIGC109T120R3
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/Infineon Technologies SIGC109T120R3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SIGC109T120R3 Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 28
Precio unitario: $10.89
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 28
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 28
Alternativas
-