Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FDU6612A
Explicación
MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 30 V 9.5A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 36W (Tc) Through Hole IPAK
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
888
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
660 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 36W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2156-FDU6612A-FS
FAIFSCFDU6612A

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDU6612A

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(Datasheet)

Cantidad y precio

Cantidad: 888
Precio unitario: $0.34
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 888

Alternativas

-