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GermanyIRF7338PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF7338PBF
Explicación
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
Descripción detallada
Mosfet Array 12V 6.3A, 3A 2W Surface Mount 8-SO
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
95
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.3A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
640pF @ 9V
Power - Max
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
Base Product Number
IRF733
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001565278
*IRF7338PBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies IRF7338PBF
Documentos y medios de comunicación
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Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SP8M10TB
Fabricante : Rohm Semiconductor
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
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