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GermanyIPB160N04S2L03ATMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPB160N04S2L03ATMA1
Explicación
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Descripción detallada
N-Channel 40 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6000 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-7-3
Package / Case
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Base Product Number
IPB160N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPB160N04S2L-03
IPB160N04S2L-03-ND
IPB160N04S2L03ATMA1TR
SP000218153
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPB160N04S2L03ATMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPB160N04S2L-03)
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1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPB160N04S2L-03)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SQM200N04-1M7L_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $3.24000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $3.24000
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