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Germany2N7637-GA
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2N7637-GA
Explicación
TRANS SJT 650V 7A TO257
Descripción detallada
650 V 7A (Tc) (165°C) 80W (Tc) Through Hole TO-257
Fabricación
GeneSiC Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
10
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
GeneSiC Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
-
Technology
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A (Tc) (165°C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 7A
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 35 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
80W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-257
Package / Case
TO-257-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/GeneSiC Semiconductor 2N7637-GA
Documentos y medios de comunicación
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices OBS 27/Apr/2018)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-