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GermanyIXTT34N65X2HV
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXTT34N65X2HV
Explicación
MOSFET N-CH 650V 34A TO268HV
Descripción detallada
N-Channel 650 V 34A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXTT)
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
47 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
Ultra X2
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
96mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
540W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-268HV (IXTT)
Package / Case
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Base Product Number
IXTT34
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTT34N65X2HV
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IXTT34N65X2HV)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(Power MOSFETs 600 V to 700 V with HiPerFET™ Option - X2-Class Series)
PCN Design/Specification
1(Mult Dev MSL3 Pkg Chg 9/Jun/2020)
PCN Packaging
1(Multiple Devices MSL 09/Jun/2020)
HTML Datasheet
1(IXTT34N65X2HV)
Cantidad y precio
Cantidad: 300
Precio unitario: $6.40017
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 300
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 300
Alternativas
-