English
China
Rusia
Italy
GermanyAUIRF1405-INF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
AUIRF1405-INF
Explicación
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Descripción detallada
N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
162
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 101A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5480 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Otros nombres
2156-AUIRF1405-INF
INFINFAUIRF1405
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies AUIRF1405-INF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(AUIRF1405)
Cantidad y precio
Cantidad: 162
Precio unitario: $1.86
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 162
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 162
Alternativas
-