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GermanyBTS121ANKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BTS121ANKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 100 V 22A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
TEMPFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
95W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Package / Case
TO-220-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
BTS121AIN
SP000011200
INFINFBTS121ANKSA1
BTS121A
BTS121AIN-ND
2156-BTS121ANKSA1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BTS121ANKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BTS 121A)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BTS 121A)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-