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GermanyNTMS4700NR2
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NTMS4700NR2
Explicación
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Descripción detallada
N-Channel 30 V 8.6A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
NTMS4700NR2 Models
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 24 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
860mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number
NTMS47
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
NTMS4700NR2OSCT
ONSONSNTMS4700NR2
NTMS4700NR2OSTR
2156-NTMS4700NR2-ONTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTMS4700NR2
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NTMS4700N)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 15/May/2006)
HTML Datasheet
1(NTMS4700N)
EDA Models
1(NTMS4700NR2 Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : HAT2197R-EL-E
Fabricante : Renesas Electronics Corporation
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar