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GermanyAPTM100H46FT3G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
APTM100H46FT3G
Explicación
MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
Descripción detallada
Mosfet Array 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP3
Fabricación
Microchip Technology
Plazo de entrega estándar
48 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microchip Technology
Series
POWER MOS 8™
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
4 N-Channel (Full Bridge)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
552mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Power - Max
357W
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
SP3
Supplier Device Package
SP3
Base Product Number
APTM100
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Microchip Technology APTM100H46FT3G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(APTM100H46FT3G)
Environmental Information
()
PCN Design/Specification
1(SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015)
PCN Assembly/Origin
1(Assembly Site 04/Aug/2023)
HTML Datasheet
1(APTM100H46FT3G)
Cantidad y precio
Cantidad: 12
Precio unitario: $103.68
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 12
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 12
Alternativas
-