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GermanyBSS192PE6327T
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSS192PE6327T
Explicación
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Descripción detallada
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
104 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT89
Package / Case
TO-243AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
BSS192PE6327XTINTR
BSS192PE6327XTINCT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSS192PE6327T
Documentos y medios de comunicación
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Cantidad y precio
-
Alternativas
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