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GermanyTN2130K1-G-VAO
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
TN2130K1-G-VAO
Explicación
MOSFET N-CH 300V 85MA SOT23-3
Descripción detallada
N-Channel 300 V 85mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Fabricación
Microchip Technology
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microchip Technology
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
85mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25Ohm @ 120mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
360mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number
TN2130
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Microchip Technology TN2130K1-G-VAO
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
PCN Design/Specification
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
-