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GermanyIRF6810STRPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF6810STRPBF
Explicación
MOSFET N CH 25V 16A S1
Descripción detallada
N-Channel 25 V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,800
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1038 pF @ 13 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 20W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DirectFET™ Isometric S1
Package / Case
DirectFET™ Isometric S1
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRF6810STRPBFCT
IRF6810STRPBFDKR
SP001530834
IRF6810STRPBF-ND
IRF6810STRPBFTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6810STRPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF6810STR (1) PBF)
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1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
()
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(IRF6810STR (1) PBF)
Simulation Models
1(IRF6810STRPBF Saber Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRLR3636TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 30,875
Precio unitario : $1.89000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 30,875
Precio unitario : $1.89000
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