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GermanyAFT26HW050GSR3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
AFT26HW050GSR3
Explicación
RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Descripción detallada
RF Mosfet 28 V 100 mA 2.69GHz 14.2dB 9W NI-780GS-4L4L
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
250
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
LDMOS
Configuration
Dual
Frequency
2.69GHz
Gain
14.2dB
Voltage - Test
28 V
Current Rating (Amps)
-
Noise Figure
-
Current - Test
100 mA
Power - Output
9W
Voltage - Rated
65 V
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
NI-780GS-4L4L
Supplier Device Package
NI-780GS-4L4L
Base Product Number
AFT26
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
5A991G
HTSUS
8541.29.0040
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. AFT26HW050GSR3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(AFT26HW050(G)SR3, AFT26H050W26SR3)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices EOL 13/Apr/2018)
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
1(AFT26HW050(G)SR3, AFT26H050W26SR3)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-