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GermanyFPF2G120BF07AS
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FPF2G120BF07AS
Explicación
IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Descripción detallada
IGBT Module Field Stop 3 Independent 650 V 40 A 156 W Through Hole F2
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
70
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
Field Stop
Configuration
3 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Power - Max
156 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 40A
Current - Collector Cutoff (Max)
250 µA
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
Module
Supplier Device Package
F2
Base Product Number
FPF2G120
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/onsemi FPF2G120BF07AS
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Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FPF2G120BF07AS
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 64
Precio unitario : $106.45000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 64
Precio unitario : $106.45000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent