Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
NTD4909NA-35G
Explicación
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 41A (Tc) Through Hole I-Pak
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.8A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1314 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I-Pak
Package / Case
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Base Product Number
NTD4909

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2156-NTD4909NA-35G-OS
ONSONSNTD4909NA-35G

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTD4909NA-35G

Documentos y medios de comunicación

Environmental Information
()
PCN Assembly/Origin
1(Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : G50N03J
Fabricante : Goford Semiconductor
Cantidad disponible : 3,670
Precio unitario : $0.60000
Tipo de reemplazo : Similar