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GermanyIRFHM4226TRPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFHM4226TRPBF
Explicación
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Descripción detallada
N-Channel 25 V 28A (Ta) 2.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 13 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.7W (Ta), 39W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-TQFN Exposed Pad
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRFHM4226TRPBFCT
IRFHM4226TRPBFTR
SP001556568
IRFHM4226TRPBFDKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFHM4226TRPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFHM4226TRPbF)
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
()
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(IRFHM4226TRPbF)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : BSZ0901NSIATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 5,318
Precio unitario : $1.47000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 5,318
Precio unitario : $1.47000
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