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China
Rusia
Italy
Germany2SC3591
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SC3591
Explicación
NPN SILICON TRANSISTOR
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 7 A 40MHz 50 W Through Hole TO-220AB
Fabricación
Sanyo
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
365
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Sanyo
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
200 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 1A, 1V
Power - Max
50 W
Frequency - Transition
40MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Otros nombres
ONSSNY2SC3591
2156-2SC3591
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Sanyo 2SC3591
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 365
Precio unitario: $0.82
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 365
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 365
Alternativas
-