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GermanyRN2102ACT(TPL3)
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
RN2102ACT(TPL3)
Explicación
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
10,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Power - Max
100 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-101, SOT-883
Supplier Device Package
CST3
Base Product Number
RN2102
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
RN2102ACT(TPL3)DKR
RN2102ACT(TPL3)CT
RN2102ACT(TPL3)TR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage RN2102ACT(TPL3)
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : RN2102,LF(CT
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 1,400
Precio unitario : $0.20000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 1,400
Precio unitario : $0.20000
Tipo de reemplazo : Similar