Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IPP80N06S2L05AKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP80N

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

IPP80N06S2L-05
INFINFIPP80N06S2L05AKSA1
SP000219000
2156-IPP80N06S2L05AKSA1-IT
IPP80N06S2L-05-ND

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP80N06S2L05AKSA1

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IPI80N06S2L05AKSA2)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IPP100N06S2L05AKSA2
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 498
Precio unitario : $3.95000
Tipo de reemplazo : Direct
Modelo de producto : FDP047AN08A0
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 1,928
Precio unitario : $3.32000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : FDP050AN06A0
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 6,625
Precio unitario : $2.90000
Tipo de reemplazo : Similar