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GermanyBSC0805LSATMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSC0805LSATMA1
Explicación
MOSFET N-CH 100V 79A TDSON-8-6
Descripción detallada
N-Channel 100 V 79A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
BSC0805LSATMA1 Models
Embalaje estándar
5,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™ 5
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 49µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
Package / Case
8-PowerTDFN
Base Product Number
BSC0805
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001861048
448-BSC0805LSATMA1CT
448-BSC0805LSATMA1DKR
448-BSC0805LSATMA1TR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSC0805LSATMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSC0805LS)
PCN Design/Specification
1(Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022)
PCN Assembly/Origin
1(Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022)
EDA Models
1(BSC0805LSATMA1 Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : ISC0805NLSATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 2,569
Precio unitario : $1.90000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended
Cantidad disponible : 2,569
Precio unitario : $1.90000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended