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GermanySCT3017ALHRC11
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SCT3017ALHRC11
Explicación
SICFET N-CH 650V 118A TO247N
Descripción detallada
N-Channel 650 V 118A (Tc) 427W Through Hole TO-247N
Fabricación
Rohm Semiconductor
Plazo de entrega estándar
35 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
118A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22.1mOhm @ 47A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 23.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
172 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2884 pF @ 500 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
427W
Operating Temperature
175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247N
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SCT3017
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Rohm Semiconductor SCT3017ALHRC11
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SCT3017ALHRC11)
Other Related Documents
1(SCT PPAP Statement)
Product Training Modules
1(Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers)
Video File
()
Featured Product
()
HTML Datasheet
1(SCT3017ALHR)
Cantidad y precio
Cantidad: 10
Precio unitario: $111.587
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $120.55
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
-